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STW65N65DM2AG
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247
技术参数：MOSFET N-CH 650V 60A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STW65N65DM2AG制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 650V 60A TO247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：120nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5500pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：446W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-247现在可以订购STW65N65DM2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
