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STS5DP3LLH6
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：STS5DP3LLH6制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：DeepGATE?, STripFET? H6零件状态：停产FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 2.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：639pF @ 25V功率-最大值：2.7W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购STS5DP3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
