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STP11N60DM2
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220
技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
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技术参数详情:
制造商产品型号:STP11N60DM2制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:MDmesh? DM2零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):420 毫欧 @ 5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.5nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):614pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):110W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220现在可以订购STP11N60DM2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。