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STP10P6F6
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220
技术参数：MOSFET P-CH 60V 10A TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：STP10P6F6制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET P-CH 60V 10A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DeepGATE?, STripFET? VI零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.4nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 48VFET功能：-功率耗散（最大值）：30W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220现在可以订购STP10P6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
