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STL8DN6LF3
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
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技术参数详情：
制造商产品型号：STL8DN6LF3制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET? III零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：668pF @ 25V功率-最大值：65W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购STL8DN6LF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
