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产品参考图片
STL4P3LLH6 图片
STL4P3LLH6
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PowerFlat?(2x2)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
  • (专注销售ST意法半导体,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营ST意法半导体
    ST代理商主营意法半导体公司的芯片IC等,是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的ST一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STL4P3LLH6
  • 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:DeepGATE?, STripFET? H6
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):56 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):639pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.4W(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerFlat?(2x2)
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