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STGWT38IH130D
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3 整包
技术参数：IGBT 1300V 63A 250W TO3P
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGWT38IH130D制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 1300V 63A 250W TO3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1300V电流-集电极(Ic)（最大值）：63A电流-集电极脉冲(Icm)：125A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，20A功率-最大值：250W开关能量：3.4mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：127nC25°C时Td（开/关）值：-/284ns测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3 整包现在可以订购STGWT38IH130D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
