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STGW39NC60VD
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 80A 250W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW39NC60VD制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 80A 250W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：220A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A功率-最大值：250W开关能量：333μJ（开），537μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：126nC25°C时Td（开/关）值：33ns/178ns测试条件：390V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：45ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGW39NC60VD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
