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STGW35HF60WDI
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 60A 200W TO-247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW35HF60WDI制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 60A 200W TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A功率-最大值：200W开关能量：185μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：140nC25°C时Td（开/关）值：30ns/175ns测试条件：390V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：85ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGW35HF60WDI，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
