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STGW30NC60KD
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 60A 200W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW30NC60KD制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 60A 200W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：125A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A功率-最大值：200W开关能量：350μJ（开），435μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：96nC25°C时Td（开/关）值：29ns/120ns测试条件：480V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：40ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGW30NC60KD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
