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STGW30N120KD
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 60A 220W TO247
  • (专注销售ST意法半导体,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营ST意法半导体
    ST代理商主营意法半导体公司的芯片IC等,是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的ST一级代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGW30N120KD
  • 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 1200V 60A 220W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):100A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.85V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:220W
  • 开关能量:2.4mJ(开),4.3mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:105nC
  • 25°C时Td(开/关)值:36ns/251ns
  • 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):84ns
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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