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STGP6M65DF2
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGP6M65DF2制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：M零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：12A电流-集电极脉冲(Icm)：24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A功率-最大值：88W开关能量：40μJ（开），136μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：21.2nC25°C时Td（开/关）值：12ns/86ns测试条件：400V，6A，22 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：140ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3现在可以订购STGP6M65DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
