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STGP5H60DF
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
技术参数:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGP5H60DF制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A功率-最大值:88W开关能量:56μJ(开),78.5μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:43nC25°C时Td(开/关)值:30ns/140ns测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V反向恢复时间(trr):134.5ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3现在可以订购STGP5H60DF,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。