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STGF3NC120HD
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGF3NC120HD制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 1200V 6A 25W TO220FP系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：6A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：25W开关能量：236μJ（开），290μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：24nC25°C时Td（开/关）值：15ns/118ns测试条件：800V，3A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：51ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包现在可以订购STGF3NC120HD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
