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STGF3NB60FD
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3 整包
技术参数:IGBT 600V 6A 25W TO220FP
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGF3NB60FD制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:IGBT 600V 6A 25W TO220FP系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):6A电流-集电极脉冲(Icm):24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A功率-最大值:25W开关能量:125μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:16nC25°C时Td(开/关)值:12.5ns/105ns测试条件:480V,3A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):45ns工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3 整包现在可以订购STGF3NB60FD,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。