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STGD18N40LZT4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 420V 25A 125W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGD18N40LZT4制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：420V电流-集电极(Ic)（最大值）：25A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A功率-最大值：125W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：29nC25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5μs测试条件：300V，10A，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购STGD18N40LZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
