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STGD10NC60ST4
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
技术参数:IGBT 600V 18A 60W DPAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGD10NC60ST4制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):18A电流-集电极脉冲(Icm):25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,5A功率-最大值:60W开关能量:60μJ(开),340μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:18nC25°C时Td(开/关)值:19ns/160ns测试条件:390V,5A,10欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63现在可以订购STGD10NC60ST4,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。