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STF2LN60K3
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:单端场效应管,TO-220FP
技术参数:MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
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技术参数详情:
制造商产品型号:STF2LN60K3制造厂家名称:STMicroelectronics描述:MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP系列:SuperMESH3?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 50V功率 - 最大值:20W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP现在可以订购STF2LN60K3,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。