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STF12NK65Z
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：单端场效应管，TO-220FP
技术参数：MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
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技术参数详情：
制造商产品型号：STF12NK65Z制造厂家名称：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP系列：SuperMESH?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62.6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1837pF @ 25V功率 - 最大值：35W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220FP现在可以订购STF12NK65Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
