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SCTWA90N65G2V-4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：HiP247? 长引线
技术参数：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
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技术参数详情：
制造商产品型号：SCTWA90N65G2V-4制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：119A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：157nC @ 18VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3380pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：565W（Tc）工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：HiP247? 长引线现在可以订购SCTWA90N65G2V-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
