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NAND512R3A3AZA6E
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：存储器，产品封装：55-TFBGA
技术参数：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：NAND512R3A3AZA6E制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA产品系列：存储器包装：托盘系列：-零件状态：停产存储器类型：非易失存储器格式：闪存技术：闪存 - NAND存储容量：512Mb（64M x 8）存储器接口：并联时钟频率：-写周期时间-字，页：60ns访问时间：60ns电压-供电：1.7V ~ 1.95V工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：55-TFBGA现在可以订购NAND512R3A3AZA6E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
