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E-L6385D013TR
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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技术参数详情:
制造商产品型号:E-L6385D013TR制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器包装:卷带(TR),剪切带(CT)系列:-零件状态:停产驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET电压-供电:17V(最大)逻辑电压?-VIL,VIH:1.5V,3.6V电流-峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA输入类型:反相高压侧电压-最大值(自举):600V上升/下降时间(典型值):50ns,30ns工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)现在可以订购E-L6385D013TR,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。